APTGV100H60T3G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

IGBT модульдері

RoHS:

Y

Өнім:

IGBT кремний модульдері

Конфигурация:

Толық көпір

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

600 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1.5 V, 2 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

150 A, 110 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

400 nA, 150 nA

Pd - қуаттың шығыны:

340 W, 416 W

Пакет/қорап:

SP3-32

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 100 C

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

20 V

Өнім түрі:

IGBT модульдері

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

IGBT

Tags

APTGV, APTG, APT