DMN63D8LDWQ-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

220 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.8 Ohms, 2.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

800 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

870 pC, 870 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMN63

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

80 mS, 80 mS

Күз уақыты:

6.3 ns, 6.3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.2 ns, 3.2 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns, 12 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.3 ns, 3.3 ns

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

DMN63D8LD, DMN63D8, DMN63D, DMN63, DMN6, DMN