BSS308PEH6327XT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

62 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

- 5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Серия:

BSS308

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

4.6 S

Күз уақыты:

2.8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7.7 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15.3 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSS308PEH6327XTSA1 SP000928942

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

BSS308PEH6327X, BSS308PEH, BSS308, BSS30, BSS3, BSS