PT100MF1MP1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Sharp микроэлектроника

Өнім санаты:

Фототранзисторлар

Пакет/қорап:

SMD

Ең жоғары толқын ұзындығы:

860 nm

Күйдегі коллектордың максималды тогы:

20 mA

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

35 V

Қараңғы ағын:

1 uA

Көтеру уақыты:

2 ms

Күз уақыты:

2 ms

Pd - қуаттың шығыны:

75 mW

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 30 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 85 C

Биіктігі:

2.2 mm

Ұзындығы:

3 mm

Түрі:

IR чип

Толқын ұзындығы:

940 nm

Ені:

1.5 mm

Бренд:

Sharp микроэлектроника

Жартылай қарқындылық бұрыштары:

15 deg

Өнім түрі:

Фототранзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1500

Ішкі санат:

Оптикалық детекторлар мен сенсорлар

Tags

PT100MF, PT100M, PT100, PT10, PT1