2SA1163-GRTE85LF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SC-59-3

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

- 120 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

- 120 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

- 5 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

- 0.3 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

- 100 mA

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

100 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 125 C

Серия:

2SA1163

Тұрақты ток күші hFE макс:

700

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Toshiba

Үздіксіз коллекторлық ток:

- 100 mA

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

200

Pd - қуаттың шығыны:

150 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

2SA1163-G, 2SA1163, 2SA116, 2SA11, 2SA1, 2SA