STFI11N60M2-EP

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-281-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

550 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

12.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

25 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Серия:

STFI11N60M2

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.5 ns

Зауыттық буманың саны:

1500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Бірлік салмағы:

0.002822 oz

Tags

STFI11, STFI1, STFI, STF