DMN3016LDN-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

V-DFN3030-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

24 mOhms, 24 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

25.1 nC, 25.1 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.6 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.8 mm

Ұзындығы:

3 mm

Өнім:

MOSFET жақсарту режимі

Серия:

DMN3016

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Түрі:

MOSFET жақсарту режимі

Ені:

3 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Күз уақыты:

5.6 ns, 5.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16.5 ns, 16.5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

26.1 ns, 26.1 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.8 ns, 4.8 ns

Tags

DMN3016LDN, DMN3016LD, DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN