TT8M1TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSST-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

52 mOhms, 49 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

300 mV, 1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

3.6 nC, 12 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

17 ns, 85 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

17 ns, 30 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

28 ns, 120 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns, 9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

TT8M1

Tags

TT8M1, TT8M, TT8