FDPF8N50NZT

FDPF8N50NZT
Mfr. #:
FDPF8N50NZT
Өндіруші:
ON Semiconductor / Fairchild
Сипаттама:
MOSFET UniFET2 500V
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
FDPF8N50NZT Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
ON Жартылай өткізгіш
Өнім санаты:
MOSFET
Технология:
Си
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Пакет/қорап:
TO-220FP-3
Биіктігі:
16.07 mm
Ұзындығы:
10.36 mm
Серия:
FDPF8N50NZ
Ені:
4.9 mm
Бренд:
ON Semiconductor / Fairchild
Өнім түрі:
MOSFET
Зауыттық буманың саны:
50
Ішкі санат:
MOSFETs
Tags
FDPF8N5, FDPF8N, FDPF8, FDPF, FDP
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
FDPF8N50NZT
DISTI # FDPF8N50NZT-ND
ON SemiconductorMOSFET N-CH 500V 8A TO-220F
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube
Limited Supply - Call
    FDPF8N50NZT
    DISTI # N/A
    ON SemiconductorMOSFET UniFET2 500V0
      Сурет Бөлім № Сипаттама
      FDPF8D5N10C

      Mfr.#: FDPF8D5N10C

      OMO.#: OMO-FDPF8D5N10C

      MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
      FDPF8N50NZU

      Mfr.#: FDPF8N50NZU

      OMO.#: OMO-FDPF8N50NZU

      MOSFET 500V N-Channel UniFET-II
      FDPF8N60ZUT

      Mfr.#: FDPF8N60ZUT

      OMO.#: OMO-FDPF8N60ZUT

      MOSFET 600V 6.5A N-Chan FRFET UniFET
      FDPF8N50NZU

      Mfr.#: FDPF8N50NZU

      OMO.#: OMO-FDPF8N50NZU-ON-SEMICONDUCTOR

      UNIFET2 500V
      FDPF8N50NZF

      Mfr.#: FDPF8N50NZF

      OMO.#: OMO-FDPF8N50NZF-ON-SEMICONDUCTOR

      MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F
      FDPF8N50NZ

      Mfr.#: FDPF8N50NZ

      OMO.#: OMO-FDPF8N50NZ-ON-SEMICONDUCTOR

      MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
      FDPF8N50NZU TK8A50D

      Mfr.#: FDPF8N50NZU TK8A50D

      OMO.#: OMO-FDPF8N50NZU-TK8A50D-1190

      Жаңа және түпнұсқа
      FDPF8N60NZ

      Mfr.#: FDPF8N60NZ

      OMO.#: OMO-FDPF8N60NZ-1190

      Жаңа және түпнұсқа
      FDPF8N60ZU

      Mfr.#: FDPF8N60ZU

      OMO.#: OMO-FDPF8N60ZU-1190

      Жаңа және түпнұсқа
      FDPF8N60ZUT

      Mfr.#: FDPF8N60ZUT

      OMO.#: OMO-FDPF8N60ZUT-ON-SEMICONDUCTOR

      MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
      Қол жетімділік
      Қор:
      Available
      Тапсырыс бойынша:
      5000
      Саны енгізіңіз:
      FDPF8N50NZT ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
      -ден бастаңыз
      Ең жаңа өнімдер
      • Gate Drivers
        The ON Semiconductor IGBT / MOSFET drive optocoupler series provides isolation for safety regulations.
      • NCP137 700 mA LDO Regulators
        ON Semiconductor's NCP137 700 mA very low dropout bias rail regulators are ideal for space constrained, noise sensitive applications.
      • Compare FDPF8N50NZT
        FDPF8N50NZ vs FDPF8N50NZF vs FDPF8N50NZFTK8A50D
      • NCP114 Low Dropout Regulators
        ON Semiconductor's NCP114 is a high performance, 300 mA, low dropout, linear regulator. This device delivers very high PSRR (over 75 dB at 1 kHz) and excellent dynamic performance as load/li
      • LC717A00AR Touch Sensor
        These high performance Capacitance-Digital-Converter LSI for electrostatic capacitive touch sensors feature 8-input capacitance.
      • FDMQ86530L Quad-MOSFET
        ON Semiconductor’s FDMQ86530L solution improves the conduction loss and efficiency of the conventional diode bridge, providing a ten-fold improvement in power dissipation.
      Top