DMN3016LFDE-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

U-DFN2020-E-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

16 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

25.1 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.02 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.6 mm

Ұзындығы:

2 mm

Өнім:

MOSFET жақсарту режимі

Серия:

DMN3016

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET жақсарту режимі

Ені:

2 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Күз уақыты:

5.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16.5 ns

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

26.1 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.8 ns

Tags

DMN3016LFDE, DMN3016LFD, DMN3016LF, DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN