IRF7601PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

Micro-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

35 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

700 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

14 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

1.11 mm

Ұзындығы:

3 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

6.1 S

Күз уақыты:

32 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

47 ns

Зауыттық буманың саны:

80

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

24 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.1 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001551458

Tags

IRF7601, IRF760, IRF76, IRF7, IRF