TC8220K6-G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN-12

Арналар саны:

4 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6 Ohms, 7 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Конфигурация:

Төрт

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Бренд:

Микрочип технологиясы

Форвард өткізгіштік - Мин:

400 mS, 400 mS

Күз уақыты:

15 ns, 15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns, 15 ns

Зауыттық буманың саны:

3300

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns, 20 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns, 10 ns

Бірлік салмағы:

0.001460 oz

Tags

TC8220, TC822, TC82, TC8