STU6N65K3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.75 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

33 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

110 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

SuperMESH

Қаптама:

Түтік

Серия:

STU6N65K3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

24 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

44 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

STU6N65, STU6N6, STU6N, STU6, STU