IRF9Z34NSTRRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

55 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

19 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

100 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

23.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

68 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon / IR

Күз уақыты:

41 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

55 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001551716

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRF9Z34NSTRRP, IRF9Z34NSTRR, IRF9Z34NST, IRF9Z34NS, IRF9Z34N, IRF9Z34, IRF9Z3, IRF9Z, IRF9, IRF