IPD90N10S4L06ATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

90 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

16 V

Qg - қақпа заряды:

98 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

136 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Серия:

IPD90N10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

40 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

42 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPD90N10S4L-06 SP000866562

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPD90N1, IPD90N, IPD90, IPD9, IPD