OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4202DY-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI4202DY-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4202DY-T1-GE3 DatasheetSI4202DY-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SI4202DY-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SI4202DY-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
E
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
SO-8
Арналар саны:
2 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
30 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
12.1 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
14 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
1 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
20 V
Qg - қақпа заряды:
17 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
3.7 W
Конфигурация:
Қосарлы
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
TrenchFET
Қаптама:
Ролик
Серия:
SI4
Транзистор түрі:
2 N-Channel
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Форвард өткізгіштік - Мин:
33 S
Күз уақыты:
8 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
18 ns
Зауыттық буманың саны:
2500
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
14 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
11 ns
Бөлім # Бүркеншік аттар:
SI4202DY-GE3
Бірлік салмағы:
0.017870 oz
Tags
SI4202DY-T, SI4202D, SI4202, SI420, SI42, SI4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
SI4202DY-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 12.1 A; 30 V; 8-Pin SOIC
***et Europe
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC T/R
***ure Electronics
Dual N-Channel 20 V 14 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
***ark
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:12.1A; On Resistance Rds(On):0.0115Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, NN CH, W/D, 30V, 12.1A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0115ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:3.7W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Continuous Drain Current Id, N Channel:12.1A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on), N Channel:0.0115ohm; Power Dissipation Pd:3.7W
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI4202DY-T1-GE3
DISTI # V36:1790_09215544		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
RoHS: Compliant		0
  • 2500000:$0.6545
  • 1250000:$0.6547
  • 250000:$0.6723
  • 25000:$0.7009
  • 2500:$0.7056
SI4202DY-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09215544		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
RoHS: Compliant		0
    SI4202DY-T1-GE3
    DISTI # SI4202DY-T1-GE3TR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 2500
    Container: Tape & Reel (TR)    		On Order
    • 12500:$0.5376
    • 5000:$0.5586
    • 2500:$0.5880
    SI4202DY-T1-GE3
    DISTI # SI4202DY-T1-GE3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Temporarily Out of Stock
    • 1000:$0.6489
    • 500:$0.8219
    • 100:$0.9950
    • 10:$1.2760
    • 1:$1.4300
    SI4202DY-T1-GE3
    DISTI # SI4202DY-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Temporarily Out of Stock
    • 1000:$0.6489
    • 500:$0.8219
    • 100:$0.9950
    • 10:$1.2760
    • 1:$1.4300
    SI4202DY-T1-GE3
    DISTI # SI4202DY-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI4202DY-T1-GE3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape    		Americas - 0
    • 1250:$0.3897
    • 625:$0.4017
    • 313:$0.4144
    • 157:$0.4280
    • 79:$0.4425
    • 40:$0.4581
    • 1:$0.4747
    SI4202DY-T1-GE3
    DISTI # SI4202DY-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4202DY-T1-GE3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 2500
    Container: Tape and Reel    		Europe - 0
    • 25000:€0.3119
    • 15000:€0.3349
    • 10000:€0.3629
    • 5000:€0.4219
    • 2500:€0.6179
    SI4202DY-T1-GE3
    DISTI # SI4202DY-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4202DY-T1-GE3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 2500
    Container: Reel    		Americas - 0
    • 25000:$0.3339
    • 15000:$0.3439
    • 10000:$0.3529
    • 5000:$0.3679
    • 2500:$0.3799
    SI4202DY-T1-GE3
    DISTI # SI4202DY-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4202DY-T1-GE3)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 2500
    Container: Tape and Reel    		Asia - 0
      SI4202DY-T1-GE3
      DISTI # 65T1692      		Vishay IntertechnologiesMOSFET Transistor, N Channel, 12.1 A, 30 V, 0.0115 ohm, 10 V, 1 V0
      • 10000:$0.5080
      • 6000:$0.5200
      • 4000:$0.5400
      • 2000:$0.6000
      • 1000:$0.6600
      • 1:$0.6880
      SI4202DY-T1-GE3.
      DISTI # 26AC3327      		Vishay IntertechnologiesTransistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:12.1A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.0115ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:1V,Power Dissipation Pd:3.7W,No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes0
      • 10000:$0.5080
      • 6000:$0.5200
      • 4000:$0.5400
      • 2000:$0.6000
      • 1000:$0.6600
      • 1:$0.6880
      SI4202DY-T1-GE3
      DISTI # 70616176      		Vishay SiliconixSI4202DY-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor,12.1 A,30 V,8-Pin SOIC
      RoHS: Compliant      		0
      • 100:$0.8200
      • 500:$0.7400
      • 1500:$0.6600
      • 2500:$0.6400
      SI4202DY-T1-GE3
      DISTI # 781-SI4202DY-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
      RoHS: Compliant      		0
      • 1:$1.3900
      • 10:$1.1500
      • 100:$0.8830
      • 500:$0.7600
      • 1000:$0.5990
      • 2500:$0.5590
      • 5000:$0.5310
      • 10000:$0.5120
      SI4202DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
      RoHS: Compliant      		Americas -
        Сурет Бөлім № Сипаттама
        SI4202DY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4202DY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4202DY-T1-GE3

        		 MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
        SI4202DY-T1-GE3-CUT TAPE

        Mfr.#: SI4202DY-T1-GE3-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-SI4202DY-T1-GE3-CUT-TAPE-1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        SI4202DY

        Mfr.#: SI4202DY

        OMO.#: OMO-SI4202DY-1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        SI4202DY-T1-E3

        Mfr.#: SI4202DY-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI4202DY-T1-E3-1190

        		 Жаңа және түпнұсқа
        SI4202DY-T1-GE3

        Mfr.#: SI4202DY-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI4202DY-T1-GE3-VISHAY

        		 MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
        Қол жетімділік
        Қор:
        Available
        Тапсырыс бойынша:
        3000
        Саны енгізіңіз:
        SI4202DY-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
        Анықтамалық баға (USD)
        Саны
        Тауар өлшемінің бағасы
        Қосымша. Бағасы
        1
        1,39 $
        1,39 $
        10
        1,15 $
        11,50 $
        100
        0,88 $
        88,30 $
        500
        0,76 $
        380,00 $
        1000
        0,60 $
        599,00 $
        -ден бастаңыз
        Ең жаңа өнімдер
        More Newest Products
        Top