IRF7342D2TRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

55 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

170 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

26 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

FETKY MOSFET және Шоттки диоды

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.3 S

Күз уақыты:

22 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

43 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001570320

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

IRF7342, IRF734, IRF73, IRF7, IRF