HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D
Mfr. #:
HGTG30N60B3D
Өндіруші:
ON Semiconductor
Сипаттама:
IGBT 600V 60A 208W TO247
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
HGTG30N60B3D Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Fairchild Semiconductor
Өнім санаты
IGBT - жалғыз
Сериялар
-
Қаптама
Түтік
Бөлік бүркеншік аттар
HGTG30N60B3D_NL
Бірлік-салмағы
0.225401 oz
Монтаждау стилі
Тесік арқылы
Пакет-қорап
TO-247-3
Енгізу түрі
Стандартты
Монтаждау түрі
Тесік арқылы
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
TO-247
Конфигурация
Бойдақ
Қуат – Макс
208W
Кері-қалпына келтіру-уақыты-trr
55ns
Ағымдағы коллектор-Ic-Макс
60A
Кернеу-коллектор-эмиттер-бұзу-макс
600V
IGBT түрі
-
Ток-коллектор-импульстік-Icm
220A
Vce-on-Max-Vge-Ic
1.9V @ 15V, 30A
Коммутация-энергия
550μJ (on), 680μJ (off)
Gate-Charge
170nC
Td-on-off-25°C
36ns/137ns
Сынақ-шарт
480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Pd-қуат-диссипация
208 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Коллектор-эмиттер-кернеу-VCEO-Макс
600 V
Коллектор-эмиттер-Қанығу-кернеу
1.45 V
Үздіксіз коллекторлық ток 25-С
60 A
Шлюз-эмиттер-ағып кету-ток
+/- 250 nA
Максималды-Гейт-Эмитатор-кернеу
+/- 20 V
Үздіксіз-коллектор-ток-Ic-Макс
60 A
Tags
HGTG30N60B3D, HGTG30N60B3, HGTG30N60B, HGTG30N60, HGTG30N6, HGTG30N, HGTG30, HGTG3, HGTG, HGT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
IGBT Single Transistor, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 RoHS Compliant: Yes
***ical
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
***inecomponents.com
600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast
***et
600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST
***p One Stop Japan
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
***ure Electronics
HGTG30N60B3D Series 600 V 60 A Flange Mount UFS N-Channel IGBT-TO-247
***ser
IGBTs 600V, IGBT UFS N-Channel
***i-Key
IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247
***trelec
IGBT Housing type: TO-247 Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.1 V Current release time: 200 ns Power dissipation: 208 W
***Semiconductor
600V, PT IGBT
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. IGBT,N CH,600V,30A,TO-247; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.9V; Power Dissipation Pd:208W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Max:208W; Transistor Type:IGBT
***nell
IGBT,N CH,600V,30A,TO-247; Corrente di Collettore CC:60A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on):1.9V; Dissipazione di Potenza Pd:208W; Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo:600V; Modello Case Transistor:TO-247; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):Lead (27-Jun-2018); Dissipazione di Potenza Max:208W; Intervallo Temperatura di Esercizio:Da -55°C a +150°C; Temperatura di Esercizio Min:-55°C; Tipo di Transistor:IGBT
***rchild Semiconductor
The HGTG30N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49170. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49053.The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.Formerly Developmental Type TA49172.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
HGTG30N60B3D
DISTI # V99:2348_06359031
ON SemiconductorPTPIGBT TO247 60A 600V204
  • 500:$4.0640
  • 250:$4.2640
  • 100:$4.6150
  • 25:$5.1460
  • 10:$5.4660
  • 1:$5.9900
HGTG30N60B3D
DISTI # HGTG30N60B3D-ND
ON SemiconductorIGBT 600V 60A 208W TO247
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
1604In Stock
  • 900:$4.4340
  • 450:$4.8630
  • 10:$6.1500
  • 1:$6.8100
HGTG30N60B3D
DISTI # 26882380
ON SemiconductorPTPIGBT TO247 60A 600V204
  • 500:$4.0640
  • 250:$4.2640
  • 100:$4.6150
  • 25:$5.1460
  • 10:$5.4660
  • 2:$5.9900
HGTG30N60B3D
DISTI # 30618810
ON SemiconductorPTPIGBT TO247 60A 600V58
  • 50:$4.4752
  • 10:$4.7940
  • 4:$6.6045
HGTG30N60B3D
DISTI # HGTG30N60B3D
ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail (Alt: HGTG30N60B3D)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Europe - 0
  • 1:€3.7900
  • 10:€3.4900
  • 25:€3.2900
  • 50:€3.1900
  • 100:€3.0900
  • 500:€2.9900
  • 1000:€2.7900
HGTG30N60B3D
DISTI # HGTG30N60B3D
ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Rail/Tube (Alt: HGTG30N60B3D)
RoHS: Compliant
Min Qty: 450
Container: Tube
Americas - 0
  • 450:$4.4900
  • 900:$4.3900
  • 1800:$4.3900
  • 2700:$4.2900
  • 4500:$4.1900
HGTG30N60B3D
DISTI # 58K1592
ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Bulk (Alt: 58K1592)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
Americas - 0
  • 1:$6.4900
  • 10:$5.8600
  • 25:$5.5900
  • 50:$5.2200
  • 100:$4.8500
  • 250:$4.6400
HGTG30N60B3D
DISTI # 58K1592
ON SemiconductorSINGLE IGBT, 600V, 60A,DC Collector Current:60A,Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V,Power Dissipation Pd:208W,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V,No. of Pins:3Pins,Operating Temperature Max:150°C,MSL:- RoHS Compliant: Yes456
  • 250:$4.8700
  • 100:$5.0800
  • 50:$5.4500
  • 25:$5.8200
  • 10:$6.0900
  • 1:$6.7200
HGTG30N60B3D
DISTI # 512-HGTG30N60B3D
ON SemiconductorIGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel
RoHS: Compliant
414
  • 1:$6.4800
  • 10:$5.8500
  • 25:$5.5800
  • 100:$4.8500
  • 250:$4.6300
  • 500:$4.2200
HGTG30N60B3D_Q
DISTI # 512-HGTG30N60B3D_Q
ON SemiconductorIGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel
RoHS: Not compliant
0
    HGTG30N60B3DFairchild Semiconductor Corporation 
    RoHS: Not Compliant
    16000
    • 1000:$5.0400
    • 500:$5.3100
    • 100:$5.5200
    • 25:$5.7600
    • 1:$6.2000
    HGTG30N60B3DFairchild Semiconductor Corporation 30
      HGTG30N60B3D_R4731Fairchild Semiconductor Corporation 5
        HGTG30N60B3DFairchild Semiconductor Corporation60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-2473
        • 2:$5.4000
        • 1:$8.1000
        HGTG30N60B3D
        DISTI # HGTG30N60B3D
        ON SemiconductorTransistor: IGBT,600V,30A,208W,TO247256
        • 1:$6.5700
        • 3:$5.9700
        • 10:$4.9600
        • 30:$4.3400
        • 120:$3.9400
        HGTG30N60B3D..
        DISTI # 1838984
        ON SemiconductorIGBT,N CH,600V,30A,TO-247
        RoHS: Compliant
        676
        • 100:£3.9100
        • 50:£4.2200
        • 10:£4.5100
        • 5:£5.2300
        • 1:£6.0700
        HGTG30N60B3D..
        DISTI # 1838984
        ON SemiconductorIGBT,N CH,600V,30A,TO-247
        RoHS: Compliant
        593
        • 250:$7.3400
        • 100:$7.6800
        • 25:$8.8500
        • 10:$9.2800
        • 1:$10.2700
        Сурет Бөлім № Сипаттама
        HGTG30N60B3

        Mfr.#: HGTG30N60B3

        OMO.#: OMO-HGTG30N60B3

        IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series
        HGTG30N60B3

        Mfr.#: HGTG30N60B3

        OMO.#: OMO-HGTG30N60B3-ON-SEMICONDUCTOR

        IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series
        HGTG30B60A4D

        Mfr.#: HGTG30B60A4D

        OMO.#: OMO-HGTG30B60A4D-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        HGTG30N120CN

        Mfr.#: HGTG30N120CN

        OMO.#: OMO-HGTG30N120CN-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        HGTG30N60

        Mfr.#: HGTG30N60

        OMO.#: OMO-HGTG30N60-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        HGTG30N60A4 G30N60A4

        Mfr.#: HGTG30N60A4 G30N60A4

        OMO.#: OMO-HGTG30N60A4-G30N60A4-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        HGTG30N60A4D,G30N60A4D,G

        Mfr.#: HGTG30N60A4D,G30N60A4D,G

        OMO.#: OMO-HGTG30N60A4D-G30N60A4D-G-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        HGTG30N60B3D G30N60B3D

        Mfr.#: HGTG30N60B3D G30N60B3D

        OMO.#: OMO-HGTG30N60B3D-G30N60B3D-1190

        Жаңа және түпнұсқа
        HGTG30N60C3

        Mfr.#: HGTG30N60C3

        OMO.#: OMO-HGTG30N60C3-1190

        Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
        HGTG30N60A4D--

        Mfr.#: HGTG30N60A4D--

        OMO.#: OMO-HGTG30N60A4D---1190

        Жаңа және түпнұсқа
        Қол жетімділік
        Қор:
        Available
        Тапсырыс бойынша:
        4000
        Саны енгізіңіз:
        HGTG30N60B3D ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
        Анықтамалық баға (USD)
        Саны
        Тауар өлшемінің бағасы
        Қосымша. Бағасы
        1
        4,34 $
        4,34 $
        10
        4,12 $
        41,18 $
        100
        3,90 $
        390,15 $
        500
        3,68 $
        1 842,40 $
        1000
        3,47 $
        3 468,00 $
        2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
        -ден бастаңыз
        Top