SP8M70TB1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOP-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

250 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A, 2.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.25 Ohms, 2.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V, 4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V, 20 V

Qg - қақпа заряды:

5.2 nC, 8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

SP8M70

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

25 ns, 20 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

20 ns, 15 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns, 30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns, 9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP8M70

Tags

SP8M7, SP8M, SP8