ISP12DP06NMXTSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-223-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

- 60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

- 2.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

125 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

- 20.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

4.2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

ISP06P008

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

5.2 S

Күз уақыты:

7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

23 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

ISP12DP06NM SP004987268

Tags

ISP12, ISP1, isp