IXTY18P10T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

18 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

120 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

15 V

Qg - қақпа заряды:

39 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

83 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Серия:

IXTY18P10

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

13 S

Күз уақыты:

22 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

26 ns

Зауыттық буманың саны:

70

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

44 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTY18, IXTY1, IXTY, IXT