IXFG55N50

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-264-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

48 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

90 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

400 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HyperFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

26.42 mm

Ұзындығы:

20.29 mm

Серия:

IXFG55N50

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.21 mm

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

45 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

60 ns

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

120 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Бірлік салмағы:

0.264555 oz

Tags

IXF