BSS139H6327XT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

250 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

100 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

3.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

360 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Таусылуы

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

BSS139

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

60 mS

Күз уақыты:

182 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.4 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

29 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSS139 BSS139H6327XTSA1 H6327 SP000702610

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

BSS139H6327X, BSS139H63, BSS139H, BSS139, BSS13, BSS1, BSS