IPN50R1K4CEATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-223-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.28 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

8.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

CoolMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.6 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Серия:

CoolMOS CE

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

30 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

23 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPN50R1K4CE SP001460674

Бірлік салмағы:

0.003951 oz

Tags

IPN50R1, IPN50, IPN5, IPN