IRLS3036TRRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

270 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

16 V

Qg - қақпа заряды:

91 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

380 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

340 S

Күз уақыты:

110 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

220 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001553300

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRLS3036T, IRLS3036, IRLS303, IRLS30, IRLS3, IRLS, IRL