TK100L60W,VQ

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-3PL-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

100 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

15 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.7 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

360 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

797 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

DTMOSIV

Биіктігі:

26 mm

Ұзындығы:

20 mm

Серия:

TK100L60

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

125 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

130 ns

Зауыттық буманың саны:

100

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

690 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

230 ns

Бірлік салмағы:

0.245577 oz

Tags

TK100L, TK100, TK10, TK1