QH8KA1TCR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSMT-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

56 mOhms, 56 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

3 nC, 3 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.4 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.7 S, 1.7 S

Күз уақыты:

3.5 ns, 3.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7.5 ns, 7.5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns, 10 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns, 5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

QH8KA1

Tags

QH8KA, QH8K, QH8