SISB46DN-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-1212-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

34 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

11.71 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 16 V, 20 V

Qg - қақпа заряды:

22 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

23 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET, PowerPAK

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.04 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Серия:

СӨЖ

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

52 S

Күз уақыты:

27 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

56 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Tags

SISB, SIS