BSZ120P03NS3EGATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSDSON-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

40 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

45 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

52 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Серия:

BSZ120P03

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

22 S

Күз уақыты:

5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

23 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSZ120P03NS3E BSZ12P3NS3EGXT G SP000709730

Tags

BSZ120P03NS3E, BSZ120P03NS, BSZ120P, BSZ120, BSZ12, BSZ1, BSZ