IPB80P04P4L-06

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

80 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

16 V

Qg - қақпа заряды:

104 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

88 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

OptiMOS-P2

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

44 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

12 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

61 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPB80P04P4L06ATMA1 IPB8P4P4L6XT SP000842046

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPB80P04P4L-0, IPB80P04P4L, IPB80P04, IPB80P, IPB8, IPB