SQP120N06-3m5L_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

120 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

330 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

375 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQP

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

190 S

Күз уақыты:

35 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

23 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

83 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бірлік салмағы:

0.068654 oz

Tags

SQP120N0, SQP120N, SQP12, SQP1, SQP