IPA80R650CEXKSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220FP-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

560 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

45 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

33 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

CoolMOS

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

16.15 mm

Ұзындығы:

10.65 mm

Серия:

CoolMOS CE

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.85 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

72 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPA80R650CE SP001286432

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

IPA80R650CEX, IPA80R65, IPA80R6, IPA8, IPA