SQS944ENW-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-1212-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

25 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

0.76 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

27.8 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Вишай жартылай өткізгіштері

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.5 S

Күз уақыты:

7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.2 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7.6 ns

Tags

SQS