STP110N8F6

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

80 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

110 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

150 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

200 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

STripFET

Биіктігі:

15.75 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Серия:

STP110N8F6

Транзистор түрі:

1 N-Channel Power MOSFET

Ені:

4.6 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

48 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

61 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

162 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

24 ns

Бірлік салмағы:

0.011640 oz

Tags

STP110N8, STP110N, STP110, STP11, STP1, STP