TPH5R906NH,L1Q

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOP-Advance-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

71 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

38 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

57 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.95 mm

Ұзындығы:

5 mm

Серия:

TPH5R906NH

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9.9 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

27 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Бірлік салмағы:

0.030018 oz

Tags

TPH5R906NH,L, TPH5R9, TPH5R, TPH5, TPH