BSL211SP

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

67 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3 mm

Серия:

OptiMOS P

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

23.3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13.9 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8.7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSL211SPH6327XTSA1 SP001100652

Бірлік салмағы:

0.000705 oz

Tags

BSL211S, BSL211, BSL21, BSL2, BSL