APT21M100J

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Пакет/қорап:

SOT-227-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

21 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

380 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

260 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

462 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

8.9 mm

Ұзындығы:

38 mm

Өнім:

MOSFET

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

25.2 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Форвард өткізгіштік - Мин:

34 S

Күз уақыты:

33 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

35 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

130 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

39 ns

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

APT2, APT