DMG8880LSS-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11.6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

27.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.43 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

DMG8880L

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

19.67 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

17.52 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

36.13 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7.04 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

DMG8880LS, DMG888, DMG88, DMG8, DMG