IPB017N06N3GXT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-7

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

180 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

275 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

OptiMOS 3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

OptiMOS 3 Power-Transistor

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

99 S

Күз уақыты:

24 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

80 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

79 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

41 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

G IPB017N06N3 IPB017N06N3GATMA1 SP000434404

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IPB017N06N3, IPB017N06, IPB017N0, IPB017, IPB01, IPB0, IPB