STP3NK80Z

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

19 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

70 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

SuperMESH

Биіктігі:

9.15 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Серия:

STP3NK80Z

Транзистор түрі:

1 N-Channel Power MOSFET

Түрі:

MOSFET

Ені:

4.6 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

40 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

27 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

36 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Бірлік салмағы:

0.070548 oz

Tags

STP3NK8, STP3NK, STP3N, STP3, STP