CSD75207W15

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DSBGA-9

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.9 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

54 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

2.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

0.7 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.62 mm

Ұзындығы:

1.5 mm

Серия:

CSD75207W15

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Ені:

1.5 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

6.2 S

Күз уақыты:

16 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8.6 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

32.1 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12.8 ns

Бірлік салмағы:

0.000088 oz

Tags

CSD7520, CSD752, CSD75, CSD7, CSD