TSM70NB1R4CP ROG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

700 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.1 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4 V

Qg - қақпа заряды:

7.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

28 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

N-арна қуаты MOSFET

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

8 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Tags

TSM70, TSM7, TSM