RM8N650T2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Ректрон

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

540 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

22 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

80 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Ректрон

Форвард өткізгіштік - Мин:

5.5 S

Күз уақыты:

6.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.5 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

55 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.5 ns

Tags

RM8N6, RM8N, RM8