2N5551TAR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-92-3 Kinked Lead

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

160 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

180 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

6 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

0.2 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

0.6 A

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

300 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Серия:

2N5551

Тұрақты ток күші hFE макс:

250

Биіктігі:

4.7 mm

Ұзындығы:

4.7 mm

Қаптама:

Оқ-дәрілер жинағы

Ені:

3.93 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Үздіксіз коллекторлық ток:

0.6 A

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

80

Pd - қуаттың шығыны:

625 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

2000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бірлік салмағы:

0.006286 oz

Tags

2N5551TA, 2N5551T, 2N5551, 2N555, 2N55, 2N5