BSR316PL6327HTSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

360 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3 mm

Серия:

BSR316

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.6 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

300 mS

Күз уақыты:

26 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

71 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSR316P BSR316PL6327XT L6327 SP000265407

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

BSR316PL, BSR316, BSR31, BSR3, BSR