CSD17308Q3T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

VSON-Clip-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

60 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

11.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V, 8 V

Qg - қақпа заряды:

3.9 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

28 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Серия:

CSD17308Q3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

37 S

Күз уақыты:

2.3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.7 ns

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9.9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.5 ns

Бірлік салмағы:

0.001365 oz

Tags

CSD17308Q, CSD17308, CSD1730, CSD173, CSD17, CSD1, CSD