SSM6N7002FUTE85LF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

200 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

SSM6N7002

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Toshiba

Форвард өткізгіштік - Мин:

170 mS

Күз уақыты:

72 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

72 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

69 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

SSM6N7002F, SSM6N7, SSM6N, SSM6, SSM