IPS118N10N G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

75 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

11.8 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

125 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

6.22 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Серия:

IPS118N10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

2.38 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

21 ns

Зауыттық буманың саны:

1500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP000680974

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPS11, IPS1, IPS