SQUN702E-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

Өл

Арналар саны:

3 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V, 200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A, 30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

14 nC, 23 nC, 30.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

48 W, 60 W

Конфигурация:

Үштік

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

2 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

16 S, 19 S, 65 S

Күз уақыты:

2 ns, 10 ns, 19 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3 ns, 9 ns, 12 ns

Зауыттық буманың саны:

2000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns, 22 ns, 43 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns, 8 ns, 10 ns

Tags

SQU