US6M2GTR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TUMT-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V, 20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.5 A, 1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

170 mOhms, 280 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V, 2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

1.6 nC, 2.1 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

6 ns, 10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns, 8 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns, 25 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns, 9 ns

Tags

US6M2GT, US6M2G, US6M2, US6M, US6